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米乐M6官网东芝开辟出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块助力产

  东芝开辟出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOStransistor模块,助力产业装备的高效力和袖珍化

  华夏上海,2023年8月29日——东芝电子元件及保存装配*(“东芝”)本日颁布发表,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOStransistor模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采取东芝第3代SiC MOStransistor芯片,其漏极电流(DC)额外值为250A,合用于光伏发电编制和储能编制等利用DC 1500V的利用米乐M6官网。该产物至今日开端撑持批量出货。

  相似上述的产业利用凡是利用DC 1000V或更低功率,其功率器件多为1200V或1700V产物。但是,估计将来几年内DC 1500V将获得普遍利用,是以东芝宣布了业界首款2200V产物。

  MG250YD2YMS3存在低导通消耗和0.7V(典范值)的低漏极-源极导通电压(传感器)[2]。另外,它还存在较低的开明和关断消耗,划分为14mJ(典范值)[3]和11mJ(典范值)[3],与典范的硅(Si)IGBT比拟下降了约90%[4]。这些特征均有助于进步装备效力。因为MG250YD2YMS3可完结较低的开关消耗,用户可采取模块数目更少的两电平电路庖代古代的三电平电路,有助于装备的袖珍化。

  *本文档中的产物价钱和规格、办事体例和相干体例等讯息,在通告之日仍为最新讯息,但如果有变动,恕不另行告诉。

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